一、設(shè)備基本原理與特點

1. 基本原理

熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

2.設(shè)備特點

1. 采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu):裝、卸料精度高，操作方便;
2. 采用先進的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍小;
3. 溫度均勻性好:平均溫度均勻性為±5℃;
4. 采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好;
5. 全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強;
6. 安全性能好:采用HMI+PLC+PID壓力傳感控制，安全可靠;
7. 對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理;
8. 多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理;
9. 采用設(shè)計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低。

二、主要技術(shù)參數(shù)

化學(xué)氣相沉積爐(碳化硅)可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。立式化學(xué)氣相沉積爐(沉積炭)可用于以碳氣體(如C3H8、CH4等)為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。臥式化學(xué)氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復(fù)合材料制備等外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導(dǎo)體坩堝、陶瓷基復(fù)合材料等。